성균관대 연구진, 차세대 반도체 소자 개발 ‘주목’

이원지 / 2015-08-07 17:17:54
크기, 속도, 에너지효율 혁신 가져올 신개념 반도체 소자

▲양희준, 이영희, 김성웅 교수팀
성균관대학교(총장 정규상) 교수진이 온도에 따라 반도체에서 도체로 변신하는 2차원 신소재를 활용해 전력손실이 적고 속도가 매우 빠른 차세대 반도체 소자를 개발해 학계의 주목을 받고 있다.


에너지과학과 양희준, 김성웅, 이영희 교수팀이 IBS 나노구조물리연구단과 공동으로 개발한 소자는 반도체 소자의 전극접합 부위에 레이저를 쬐는 방법으로 전류가 잘 흐르는 도체로 바꾸어 소자를 제작한 것이 특징이다.


연구진은 상온에서는 반도체 상태지만 레이저를 쬐어 고온에 노출된 부분만 도체 상태로 변하는 소재의 성질을 이용한 것이다.


통상 반도체 소자는 전극역할을 하는 도체(금속)와 전자의 통로역할을 하는 반도체 물질을 접합해 제작하는데, 두 물질 간 경계면의 전기저항이 커 소자 작동에 필요한 에너지 중 3분의 2가 열에너지로 소모된다.


연구진은 새로운 소자를 만들 때, 반도체 소자의 특성을 유지하면서 금속전극과의 접합 부위만 도체상태로 바꿔 두 물질 경계에서 생기는 저항을 낮춤으로써 에너지 손실을 줄이는 한편 소자의 효율을 올리는 데 성공했다.


연구진은 지난 5월 500℃이상 온도에서 반도체 성질이 금속성질로 바뀌는 소재 특성을 밝힌데 이어, 레이저를 쬐는 간단한 방법을 이용하여 신개념의 반도체 소자를 제작할 수 있음을 증명했다.


전자기기의 동작속도를 좌우하는 전자이동도가 기존(2차원 반도체 소자) 대비 50배 이상 커 초고속, 저전력 전자기기 구현에 적합하고 공정이 간단해 제작비용을 줄일 수 있는 것이 장점이다.


앞으로 소재의 대면적화, 표면가공 기술 등의 개발을 통해 상용화가 가능할 것으로 예상된다.


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