화제의 주인공은 전북대 반도체과학기술학과 최철종·심규환 교수팀. 이들은 게르마늄(Ge) 에피층을 기존에 많이 사용되고 있는 실리콘(Si) 반도체 기판에 성장한 구조의 에피기판을 제작했다. 에피란 반도체 소자 제조 시 기판위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것을 말한다.
'GOS(Ge-on-Si) 에피기판'이라고 불리는 이 신기술은 기존 실리콘 기판에 게르마늄 기판의 우수성까지 더해졌다. 전자의 이동도가 매우 높으면서도 표면과 저항의 균일도가 매우 우수하다.
연구진은 최근의 반도체 공정이 기존 실리콘 기판만 사용하는 단계를 넘어 게르마늄(Ge)이나 탄소(C), 주석(Sn) 등의 신물질을 함께 사용하는 차세대 방법으로 널리 확산돼 이 기술의 상용화 문도 더욱 넓어질 것으로 기대한다.
이를 통해 앞으로 CPU나 모바일 프로세서 등 성능이 우수한 메모리·비메모리 반도체 칩을 광범위하게 생산하는 데 혁혁한 공헌을 할 것으로 기대를 모으고 있다.
최철종 교수(반도체물성연구소장)는 "외국은 IBM이나 Intel, TSMC, IMEC, MIT 등 주요 기업 및 연구기관에서 게르마늄(Ge)를 기반으로 하는 차세대 CMOS에 대한 기술개발이 매우 활발하지만 국내는 아직 실리콘 반도체에만 주력하고 있는 상황"이라며 "이번 신기술을을 통해 GOS 에피기판의 국산화 및 수출이 가능하도록 최선을 다하고 우리나라가 반도체 산업 강국의 위상을 더욱 높이겠다"고 말했다.
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