[대학저널 이원지 기자]서울시립대학교(총장 원윤희)의 연구역량 강화를 위해 운영 중인 학·석사 연계과정을 통해 전자전기컴퓨터공학과 대학원 석사 1학기 과정 고은아 석사연구원이 반도체소자분야 최고권위 국제저명학술지인 IEEE Transactions on Electron Devices (TED) 와 IEEE Electron Device Letters (EDL) 에 각 1편씩의 논문을 게재해 화제다.
해당 논문에서 고은아 대학원생은 반도체 소자 설계 툴인 TCAD simulator을 이용해 triple metal gate 구조의 Vertical Tunnel Field Effect Transistor (TFET) 의 gate metal work function을 조절함에 따라 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 이론 연구를 수행했다.
IEEE Transactions on Electron Devices에 게재된 논문[제목: Vertical Tunnel FET: Design Optimization With Triple Metal-Gate Layers(http://ieeexplore.ieee.org/document/7727981/)]과 IEEE Electron Device Letters에 게재된 논문[제목: Negative Capacitance FinFET with Sub-20-mV/decade Subthreshold Slope and Minimal Hysteresis of 0.48 V (http://ieeexplore.ieee.org/document/7862823/)]이다.
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