[대학저널 이원지 기자]성균관대학교(총장 정규상) 전자전기공학부 최병덕 교수 연구팀이 최근 CMOS 반도체소자의 문턱전압조정 기술을 개발, 세계저명 학술지에 게재해 주목을 받고 있다.
6일 성균관대에 따르면 최 교수 연구팀은 삼성종합기술연구원과 공동으로 10nm(10-9m)이하 차세대 반도체소자의 기술난제였던 메탈게이트 플랫밴드전압 조정기술을 개발 분석한 논문을 최근 세계 저명 학술지인 네이처(Nature) 자매지 '사이언티픽 리포트'에 온라인으로 게재했다.
이 연구는 낸드 플레시와 DRAM 메모리의 핵심기술로 반도체소자 특성을 제어하고 향상시켜 차세대 반도체 메모리기술에 적용될 것으로 기대되고 있다. 메모리소자의 특성에 직접적으로 관계가 되며 반도체 소자의 집적도, 산포, 효율향상에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
연구는 삼성종합기술연구원 허성 박사, 성균관대 박형선 (박사과정), 최병덕 교수가 주도하고, 충북대 강희재 교수가 참여해 진행했다.
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