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최성진 교수는 현재 차세대 반도체 소자 및 3차원 적층(M3D, Monolithic 3D Integration) 기술 분야에서 세계적으로 주목받는 연구를 수행하고 있다. M3D 기술은 반도체 칩의 여러 층을 수직으로 쌓아 올려 성능을 높이는 기술로, 마치 아파트를 한 층씩 세워 공간 활용을 극대화하듯, 한정된 칩 면적 안에 더 많은 회로를 적층해 고성능과 저전력을 동시에 구현하는 차세대 반도체 공정이다. 최 교수 연구팀은 이 M3D 구조를 구현하기 위해 레이저를 이용해 실리콘을 국소적으로 녹였다가 다시 결정화시키는 ‘레이저 재결정화(Laser Recrystallization)’ 기술을 개발 중이다.
이를 통해 낮은 온도에서도 고품질 실리콘층을 형성할 수 있어, 기존 공정 위에 새로운 트랜지스터 층을 쌓는 것이 가능해진다. 현재는 이 방식을 활용해 Gate-All-Around(GAA) 구조, 즉 전류가 흐르는 채널을 사방에서 감싸 제어하는 고효율 트랜지스터를 구현하는 연구를 진행 중이며, 이 기술은 차세대 C-FET(Complementary FET) 구조 실현의 핵심 기반으로 평가받고 있다.
이번 ‘세계 상위 2% 연구자’ 선정은 이러한 최근 연구 성과와 더불어, 그동안 최 교수가 수행해 온 탄소나노튜브(CNT, Carbon Nanotube) 기반 차세대 반도체 소자 연구의 영향력이 높게 평가된 결과다. 탄소나노튜브는 머리카락 굵기의 10만분의 1에 불과한 초미세 탄소 구조체로, 전기가 잘 통하면서도 열에 강해 차세대 트랜지스터 소재로 각광받고 있다. 최 교수는 탄소나노튜브(CNT) 를 이용해 대규모 웨이퍼 수준에서 트랜지스터를 제작할 수 있는 공정 기술을 개발하는 데 성공했으며, 이 기술을 통해 실제 회로 및 시스템 수준의 구현도 가능한 차세대 반도체 플랫폼을 제시했다. 이는 기존 실리콘 소자가 물리적으로 더 이상 미세화되기 어려운 한계를 넘어, 비실리콘 기반의 새로운 집적 회로 기술로 확장될 수 있는 잠재력을 보여준다. 이 연구 성과들은 저명 국제 학술지에 다수 게재되어 높은 인용을 기록하며, 반도체 분야에서 지속적인 주목을 받고 있다.
또한 최 교수는 단년도 성과를 기준으로 한 ‘Single-year Data’뿐 아니라, 연구 경력 전체를 평가하는 ‘Career-long Data’ 부문에서도 모두 세계 상위 2% 연구자로 선정되었다.
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