성균관대학교(총장 정규상) 연구팀이 기가헤르츠급(Ghz)에서 테라헤르츠급(Thz)으로 반도체소자 성능을 150배 향상시키는 신소재 전자기판을 개발해 눈길을 끌고 있다.
이번 연구는 성균관대 IBS 나노구조물리연구단 이영희 단장(성균관대 에너지과학과 교수), 한국과학기술연구원 전북분원·복합소재기술연구소 소프트혁신소재연구센터 김수민 박사, 동국대 융합에너지신소재공학과 김기강 교수 그리고 MIT EECS Jing Kong 교수가 공동으로 수행했다.
공동연구팀은 이번 연구로 전자소재 및 소자의 성능을 손실없이 구현할 수 있는 대면적 2차원 절연체 기판을 개발했다. 이 연구성과는 과학저널 네이처 커뮤니케이션(Nature Communication, IF 11.470)에 10월 28일자에 온라인으로 게재됐다.
성균관대 관계자는 “전자소자 연구의 최대 난제를 해결할 수 있는 이상적인 소재의 대면적화를 제시했다”며 “테라헤르츠(THz)급 전자소자 산업의 빠른 상용화를 이끌 기반을 마련할 것”이라고 말했다.
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