[대학저널 신효송 기자] 서울대학교(총장 성낙인) 재료공학부 황철성 교수가 지난 6일 강원도 하이원 리조트에서 개최된 제25회 한국반도체학술대회에서 ‘강대원상’을 수상했다.
황철성 교수는 지금까지 공정 및 소자분야에서 527편의 논문을 발표했다. 그 중 2010년도에 ‘Nat. Nanotech’에 출판한 논문은 피인용 횟수가 1400여 회를 넘는 우수한 논문이다. 그는 논문에서 금속 산화막을 이용한 저항변화 메모리의 근본 동적기구 규명 등 저항변화 메모리 분야의 연구를 통해 한국 반도체 발전에 기여한 공로를 인정받아 본 상을 수상했다.
강대원상은 반도체의 기초가 되는 모스펫(MOSFET)과 낸드플래시 데이터 저장 공간인 플로팅게이트(Floating Gate)를 최초로 개발한 고(故) 강대원 박사(1931~1992)의 업적을 재조명하기 위해 제정된 상으로 반도체 학계에서 매우 권위 있는 상이다.
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